ПАРАМЕТРИЧЕСКИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД

полупроводниковый диод, относящийся к группе варакторных диодов, принцип действия которых основан на эффекте зависимости ёмкостир-n-перехода от приложенного к нему напряжения. В параметрических усилителях (См. Параметрический усилитель) П. п. д. используют в качестве элемента с переменной ёмкостью, включаемого в колебательный контур усилителя (использованиеp-n-перехода с этой целью впервые предложено Б. М. Вулом в 1954); на П. п. д. подаётся постоянное обратное смещение (обычно — 0,3—2,0в) и два переменных СВЧ (до нескольких сотенГгц) сигнала — от генератора накачки и усиливаемый. П. п. д. отличаются низким уровнем собственных шумов, который зависит в основном от сопротивления полупроводникового материала и его температуры. Для повышения верхней границы полосы частот усиливаемых колебаний стремятся уменьшить ёмкость П. п. д. в рабочей точкеC₀и постоянную времени диода τ_s=r_s•C₀, гдеr_s—суммарное сопротивление объёма П. п. д., примыкающего кр-n-переходу, и контактов. Мощность колебаний накачки ограничивается допустимым значением обратного напряженияU_допна диоде. П. п. д. изготавливают чаще всего из кремния, германия, арсенида галлия. Значения основных параметров П. п. д., выпускаемых в СССР и за рубежом:C₀=0,01— 2пф,τ_s= 0,1—2nceк,U_доп= 6—10ви диапазон рабочих температур 4—350 К.

Лит.:Физические основы работы полупроводниковых СВЧ диодов, М., 1965; СВЧ— полупроводниковые приборы и их применение, пер. с англ., М., 1972.